Síntesis y caracterización de disulfuro de estaño SnS2 depositados sobre vidrio para su evaluación como material semiconductor

Abstract

Se ha realizado la síntesis de SnS2 depositado sobre vidrio usando el método de baño químico, estandarizándose el mismo en función de la temperatura (de 35 y 55 °C) y en función de la concentración del agente acomplejante (iones citrato), trabajándose a concentraciones de 0,5 M (relación molar citrato/Sn = 0,7511 prueba 11), 0,7 M (relación molar citrato/Sn = 1,0606 prueba 10) y 1 M (relación molar citrato/Sn = 1,5766 prueba 13). La síntesis ha sido optimizada a la temperatura de 55 y una relación molar de 1,0606, identificándose por UV-VISIBLE la formación de complejos Sn/acetato Sn/citrato y la hidrolisis de la tioacetamida en las diferentes etapas de la reacción que permiten obtener los productos con las características deseadas. Se ha realizado la caracterización estructural al material optimo desarrollado en la prueba 10, por la técnica de Difracción de rayos DRX se observa que tiene buena cristalinidad con un microdominio cristalino de 117,9 nm, el cual es mayor a diferencia de las otras pruebas realizadas. Por otro lado, por espectroscopia UV-VISIBLE se observa que el material tiene mejor absorción en el rango de 477,2 nm y 563,9 nm lo cual nos indica su banda gap Eg la cual se encuentra en el rango de 2,2 a 2,6 eV que va en consistencia con artículos referenciales. Las pruebas de SEM realizadas en este material demuestran que tiene un tamaño promedio de partícula en el orden de 1-5 μm. 48  El producto optimizado en la prueba 10 (relación molar S-2/Sn = 0,7576; citrato/Sn =1,0606), presenta un comportamiento de material semiconductor característico (observada en la caracterización eléctrica), donde se observa una adecuada disminución de su resistividad a medida que aumenta la temperatura, a diferencia de los otros materiales obtenidos en condiciones no óptimas.